深圳市义晟佳电子科技有限公司欢迎您！

IGBT寄生米勒电容问题如何快速清除？

作者：Aliququ.com    来源：未知    发布时间：2020-12-11 10:04    浏览量：
米勒效应所产生的电容和峰值问题在日常工作中，属于一种比较常见的情况。在IGBT模块操作中，如果没有及时处理米勒电容问题，很容造成IGBT损坏。那么，寄生米勒电容有哪些危害？工程师应该如何快速的清除IGBT寄生米勒电容问题呢？就让我们通过下文进行详细的分析和介绍。
 
在日常的工作过程中，IGBT模块操作时一旦出现了米勒效应的寄生电容问题，往往见于明显的在0到15V类型的门极驱动器，也就是工程师们常说的单电源驱动器。门集-电极之间的耦合在IGBT关断期间，高dV/dt瞬态可诱导寄生IGBT道通，也就是门集电压尖峰，这对于IGBT乃至整机来说，都是一种潜在的危险。


通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题，工程师需要依据实际情况进行比较和判断。
 
目前业内所采用通过缩短门极—发射极的路径，用一个晶体管放在门极—发射极之间是一种比较常用的方法。这种方法在达到一定的阈值之后，晶体管将造成门极—发射极地区的短路。我们将这种加入额外晶体管的技术称之为源米勒钳位，这种办法是能够有效消除米勒效应产生的寄生电容问题。



 深圳市义晟佳电子科技有限公司成立以来，一直致力于电子元器件分销行业。经销产品：IGBT及驱动配套，PIM，IPM智能模块，存储芯片，熔断MOSFET。单片机，电容电阻，二极管，三极管，射频微波器件等多种类型， IC芯片一站式BOM表配单，为客户提供周到有效的解决方案。欢迎垂询。
 
 
  经营品牌类型包括：英飞凌INFINEON、三菱MITSUBISHI、西门康SEMIKRON、富士FUJI、IXYS、ABB、丹佛斯、IR、宏微、斯达、VICOR、TYCO、三社Sanrex、镁光、三星、现代、金士顿、闪迪、海力士、飞思卡尔、FUJITSU、NXP、Motorola、Analog Devices、ON。产品封装：IGBT及驱动配套，PIM，IPM智能模块，存储芯片，熔断器，MOSFET。单片机，电容电阻，二极管，三极管，射频高频微波器件。
 
手机/微信：18320781521黄经理
上一篇：IGBT基本工作原理
下一篇：为什么说新能源汽车的核心部件是IGBT呢？

相关新闻推荐

更多>>
友情链接：

关注官方微信

HTML地图 xml地图 粤ICP备2020078685号-1